一、HBM基本情況概述

HBM (High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是易失性存儲器的一種。作為全新一代的CPU/GPU內存芯片，HBM本質上是指基于2.5/3D先進封裝技術，把多塊DRAM堆疊起來后與GPU芯片封裝在一起，實現大容量，高位寬的DDR組合陣列。

HBM產業鏈工藝流程包括晶圓測試、中段制造、后段封測等環節。目前，SK 海力士、三星電子等廠商在HBM 產業鏈中承擔前道晶圓廠和中道封測廠的角色，臺積電等廠商承擔后道封測廠的角色。SK 海力士、三星電子、美光科技、臺積電四家企業在產業鏈中最具地位。目前國內廠商則主要處于上游領域。HBM制造工藝包括TSV打孔、電鍍、拋光等前道工藝以及混合鍵合等后道工藝。這些工藝環節對設備和材料的要求極高，因此HBM的生產成本也相對較高。然而，隨著技術的不斷進步和工藝的不斷優化，HBM的生產成本正在逐步降低。

HBM是通過先進封裝工藝的方式提高存儲芯片的帶寬。HBM采用2.5D+3D封裝工藝，采用的核心封裝工藝包括Bumping、RDL、FC、TSV、CoWoS等。封裝工藝主要有四項功能：①保護芯片免受外部沖擊或損壞；②將外部電源傳輸至芯片，保證芯片的正常運行；③為芯片提供線路連接，以便執行信號輸入和輸出操作；④合理分配芯片產生的熱量，確保其穩定運行。

相關報告：智研咨詢發布的《2024年中國HBM行業市場現狀分析及未來趨勢研判報告》

二、HBM市場規模

HBM需求主要集中在英偉達、谷歌、AMD等國際芯片大廠，其中英偉達是HBM市場的最大買家，所需HBM占全球比重超50%，國內廠商受成本、技術、海外貿易政策等因素影響，需求占比較小，占比約6-7%，且型號以HBM2E為主，比HBM3E版本落后兩代，主要來源于三星電子、SK海力士兩家公司。2023年5月，據網信辦發布，美光公司產品存在較嚴重網絡安全問題隱患，對我國關鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險，影響我國國家安全。為此，網絡安全審查辦公室依法作出不予通過網絡安全審查的結論。按照《網絡安全法》等法律法規，我國內關鍵信息基礎設施的運營者應停止采購美光公司產品，自此美光不再向中國出口HBM芯片。數據顯示，2023年中國HBM市場規模約為25.3億元。

三、HBM企業格局

技術門檻高導致HBM行業高度集中，目前，全球僅有的三家HBM供應商，分別為韓國SK海力士、韓國三星電子、美國美光。其中SK海力士憑借先發優勢與領先的技術優勢，在全球HBM領域占據絕對主導地位。2023年SK海力士市占率為53%，三星電子市占率38%、美光市占率9%。

在高技術壁壘、國外技術封鎖等因素下，我國在芯片領域一直處于被動地位，HBM作為高端顯存芯片，研發難度更大，技術壁壘更高。目前HBM供應鏈以海外廠商為主，供應商主要為韓系、美系廠商。國產HBM正處于0到1的突破期，國內能獲得的HBM資源較少。雖然目前尚無國產企業具備HBM供給能力，但已有部分企業通過自主研發、收購等方式布局產業鏈上游核心環節，并取得了實質性突破。如通富微電、長電科技、深科技等半導體封測企業；拓荊科技、賽騰股份、中微公司、北方華創、華海清科、精智達、新益昌等半導體設備企業；雅克科技、聯瑞新材、華海誠科、強力新材等半導體材料企業。少數企業更是成功進入海外HBM供應鏈。

在HBM的技術演進路線中，追求更大的容量，更高的帶寬始終是其主線。目前最先進的HBM3e版本，理論上可實現16層堆疊、64GB容量和1.2TB/s的帶寬，分別為初代HBM的2倍、9.6倍和4倍。未來，HBM技術將繼續沿著提升帶寬和容量的道路前進。HBM4甚至HBM5將可能實現更高的性能標準，為AI和HPC等數據密集型應用提供更加強大的支持。同時，隨著半導體制造工藝的不斷進步，HBM技術將采用更小的制程節點，以實現更高的集成度和更低的功耗。

以上數據及信息可參考智研咨詢（jwnclean.com）發布的《2024年中國HBM行業市場現狀分析及未來趨勢研判報告》。智研咨詢是中國領先產業咨詢機構，提供深度產業研究報告、商業計劃書、可行性研究報告及定制服務等一站式產業咨詢服務。您可以關注【智研咨詢】公眾號，每天及時掌握更多行業動態。