內(nèi)容概況：在“后摩爾時(shí)代”，原子層沉積（ALD）技術(shù)憑借其獨(dú)特的原子級(jí)精度和優(yōu)異的三維保形性，正從輔助工藝躍升為制造先進(jìn)芯片三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵核心技術(shù)。2024年，中國(guó)ALD設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為45.22億元，同比增長(zhǎng)7.23%。一方面，集成電路制造正持續(xù)向更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)突破，制造工藝步驟成倍增加，直接拉動(dòng)了對(duì)ALD設(shè)備的核心需求。另一方面，“超越摩爾”戰(zhàn)略下的廣闊應(yīng)用正成為新的增長(zhǎng)引擎。高效太陽(yáng)能電池（TOPCon）的產(chǎn)業(yè)化、OLED柔性顯示的精密薄膜封裝、鋰電池固態(tài)電解質(zhì)涂層等新能源及新材料領(lǐng)域，正為ALD技術(shù)開(kāi)辟遠(yuǎn)超傳統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨大增量市場(chǎng)。

相關(guān)上市企業(yè)：微導(dǎo)納米（688147）、拓荊科技（688072）、北方華創(chuàng)（002371）、中微公司（688012）

相關(guān)企業(yè)：江蘇南大光電材料股份有限公司、江蘇雅克科技股份有限公司、華友鈷業(yè)股份有限公司、贛鋒鋰業(yè)股份有限公司、營(yíng)口風(fēng)光新材料股份有限公司、盈德氣體集團(tuán)有限公司、深圳市恒運(yùn)昌真空技術(shù)股份有限公司、中芯國(guó)際集成電路制造有限公司、隆基綠能科技股份有限公司、寧德時(shí)代新能源科技股份有限公司、京東方科技集團(tuán)股份有限公司、歌爾股份有限公司、邁瑞醫(yī)療國(guó)際股份有限公司

關(guān)鍵詞：ALD設(shè)備、ALD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模、ALD設(shè)備行業(yè)現(xiàn)狀、ALD設(shè)備發(fā)展趨勢(shì)

一、行業(yè)概述

ALD（原子層沉積，Atomic Layer Deposition）設(shè)備是一種先進(jìn)的薄膜制備技術(shù)。設(shè)備通過(guò)將兩種前驅(qū)體以氣體脈沖的形式交替引入反應(yīng)器，兩種前驅(qū)體之間靠真空泵抽取或惰性氣體吹掃實(shí)現(xiàn)隔離，前驅(qū)體分子通過(guò)吸附在樣品表面發(fā)生反應(yīng)生成薄膜或團(tuán)簇。即利用交替、自限性的表面化學(xué)反應(yīng)，在基底上逐層生長(zhǎng)出高度均勻、致密、保形性極佳的納米級(jí)薄膜的工藝。

二、行業(yè)發(fā)展歷程

中國(guó)ALD設(shè)備行業(yè)歷經(jīng)數(shù)十年發(fā)展，從技術(shù)引進(jìn)到自主創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)跨越式突破。20世紀(jì)70年代至2013年起步階段，1974年芬蘭科學(xué)家首提ALD技術(shù)后，國(guó)內(nèi)早期依賴進(jìn)口設(shè)備，中高端市場(chǎng)被ASM、TEL等海外廠商壟斷；直至2010年復(fù)旦大學(xué)與芬蘭Picosun合作舉辦首屆ALD學(xué)術(shù)會(huì)議推動(dòng)技術(shù)傳播，同年4月沈陽(yáng)拓荊成立并布局ALD技術(shù)，開(kāi)啟國(guó)產(chǎn)化探索。

2014-2018年進(jìn)入自主研發(fā)階段，北方華創(chuàng)啟動(dòng)ALD開(kāi)發(fā)計(jì)劃并承擔(dān)國(guó)家02重大專項(xiàng)“28-14nm原子層沉積系統(tǒng)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目，2016年微導(dǎo)納米研發(fā)首臺(tái)ALD原型機(jī)奠定產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)，2017年北方華創(chuàng)量產(chǎn)型單片ALD設(shè)備首次交付客戶、微導(dǎo)納米光伏ALD設(shè)備KF6000在通威太陽(yáng)能等龍頭企業(yè)完成量產(chǎn)驗(yàn)證，2018年微導(dǎo)納米啟動(dòng)半導(dǎo)體ALD設(shè)備研發(fā)。

2019-2022年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破，微導(dǎo)納米半導(dǎo)體ALD設(shè)備研發(fā)完成并與國(guó)內(nèi)主流半導(dǎo)體廠商簽訂訂單，拓荊科技ALD設(shè)備陸續(xù)出貨驗(yàn)證；2020年12月微導(dǎo)納米首套國(guó)產(chǎn)高電介質(zhì)ALD設(shè)備發(fā)貨至國(guó)內(nèi)晶圓廠并通過(guò)28nm工藝測(cè)試驗(yàn)證，2021年其量產(chǎn)型High-k ALD設(shè)備成功應(yīng)用于28nm邏輯芯片生產(chǎn)線并獲客戶重復(fù)訂單，同期致真設(shè)備（合肥）成立并推出首臺(tái)單原子層精度設(shè)備；2022年微導(dǎo)納米登陸科創(chuàng)板，拓荊科技PEALD和Thermal-ALD設(shè)備完成產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證。

2023年至今進(jìn)入應(yīng)用拓展階段，2023年拓荊科技實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)ALD設(shè)備裝機(jī)量及薄膜工藝覆蓋率雙第一，2024年北方華創(chuàng)一次性推出三款A(yù)LD設(shè)備，致真設(shè)備杭州基地落成累計(jì)替代進(jìn)口超百臺(tái)，國(guó)產(chǎn)設(shè)備更在3D NAND、GAA晶體管等先進(jìn)結(jié)構(gòu)應(yīng)用中取得關(guān)鍵突破，形成從光伏到半導(dǎo)體、從單一應(yīng)用到多領(lǐng)域拓展的完整產(chǎn)業(yè)鏈，持續(xù)推動(dòng)全球ALD技術(shù)發(fā)展進(jìn)程。

三、行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈

ALD設(shè)備行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要包括金屬有機(jī)前驅(qū)體、氧化劑、反應(yīng)氣體等原材料，以及高精度質(zhì)量流量控制器（MFC）、真空泵、ALD專用閥組、等離子體源、加熱平臺(tái)和石英/SiC反應(yīng)腔體等關(guān)鍵系統(tǒng)。產(chǎn)業(yè)鏈中游為ALD設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)環(huán)節(jié)。產(chǎn)業(yè)鏈下游主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光伏、新能源、顯示面板、MEMS傳感器、光學(xué)器件、生物醫(yī)療等領(lǐng)域。

隨著“國(guó)產(chǎn)化”戰(zhàn)略的十年深耕，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)正從“量”的擴(kuò)張，向“質(zhì)”的躍升和“結(jié)構(gòu)”的優(yōu)化進(jìn)行深刻轉(zhuǎn)型。2025年，中國(guó)集成電路產(chǎn)量為4842.79億塊，同比增長(zhǎng)7.28%。而在此進(jìn)程中，作為高端薄膜沉積核心裝備的原子層沉積（ALD）設(shè)備，其戰(zhàn)略重要性愈發(fā)凸顯，已成為產(chǎn)業(yè)進(jìn)階不可或缺的精密基石。

相關(guān)報(bào)告：智研咨詢發(fā)布的《中國(guó)ALD設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)全景調(diào)研及投資前景研判報(bào)告》

四、市場(chǎng)規(guī)模

在“后摩爾時(shí)代”，原子層沉積（ALD）技術(shù)憑借其獨(dú)特的原子級(jí)精度和優(yōu)異的三維保形性，正從輔助工藝躍升為制造先進(jìn)芯片三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵核心技術(shù)。2024年，中國(guó)ALD設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為45.22億元，同比增長(zhǎng)7.23%。一方面，集成電路制造正持續(xù)向更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)突破，制造工藝步驟成倍增加，直接拉動(dòng)了對(duì)ALD設(shè)備的核心需求。另一方面，“超越摩爾”戰(zhàn)略下的廣闊應(yīng)用正成為新的增長(zhǎng)引擎。高效太陽(yáng)能電池（TOPCon）的產(chǎn)業(yè)化、OLED柔性顯示的精密薄膜封裝、鋰電池固態(tài)電解質(zhì)涂層等新能源及新材料領(lǐng)域，正為ALD技術(shù)開(kāi)辟遠(yuǎn)超傳統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨大增量市場(chǎng)。

五、重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)情況

中國(guó)ALD設(shè)備行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局正在發(fā)生深刻變革，已從國(guó)際巨頭的絕對(duì)壟斷，演變?yōu)閲?guó)產(chǎn)力量憑借差異化路徑、在政策與市場(chǎng)需求雙重驅(qū)動(dòng)下奮起直追的多元競(jìng)爭(zhēng)新局面。北方華創(chuàng)、拓荊科技、微導(dǎo)納米為代表的國(guó)產(chǎn)領(lǐng)軍企業(yè)強(qiáng)力沖擊，不僅在光伏、顯示等泛半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了主導(dǎo)地位，更成功將量產(chǎn)型ALD設(shè)備導(dǎo)入國(guó)內(nèi)28納米及以上邏輯芯片和128層以上3D NAND存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)線。

江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司成立于2015年12月，是一家面向全球的半導(dǎo)體、泛半導(dǎo)體高端微納裝備制造商。公司形成了以原子層沉積（ALD）技術(shù)為核心，CVD等多種真空薄膜技術(shù)梯次發(fā)展的產(chǎn)品體系，專注于先進(jìn)微米級(jí)、納米級(jí)薄膜設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與應(yīng)用。2025年前三季度，微導(dǎo)納米營(yíng)業(yè)收入為17.22億元，同比增長(zhǎng)11.48%；歸母凈利潤(rùn)為2.48億元，同比增長(zhǎng)64.83%。

北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司始終秉承“推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步，創(chuàng)造無(wú)限可能”的企業(yè)使命，立足半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域，深耕半導(dǎo)體裝備、真空及鋰電裝備和精密電子元器件等業(yè)務(wù)領(lǐng)域。公司在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域已形成了物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD）、外延（EPI）和電鍍（ECP）設(shè)備的全系列布局。2025年前三季度，北方華創(chuàng)營(yíng)業(yè)收入為273.01億元，同比增長(zhǎng)32.97%；歸母凈利潤(rùn)為51.30億元，同比增長(zhǎng)14.83%。

六、行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

1、技術(shù)演進(jìn)驅(qū)動(dòng)ALD從輔助走向核心，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)容

隨著芯片制造步入3納米以下節(jié)點(diǎn)，半導(dǎo)體的發(fā)展路徑從平面微縮轉(zhuǎn)向3D結(jié)構(gòu)。對(duì)于環(huán)繞柵極（GAA）晶體管、千層堆疊的3D NAND以及未來(lái)的3D DRAM等復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)薄膜技術(shù)已力不從心。ALD憑借其原子級(jí)精度和優(yōu)異的臺(tái)階覆蓋率，成為填充高深寬比溝槽、沉積關(guān)鍵介質(zhì)層和柵極的唯一或首選技術(shù)，從輔助工藝升級(jí)為核心制造環(huán)節(jié)。同時(shí)，ALD的應(yīng)用正從集成電路擴(kuò)展到光伏、高端顯示（OLED/Micro-LED封裝）和新能源電池等領(lǐng)域，其中光伏鈍化層和鋰電池電極包覆已成為重要增長(zhǎng)點(diǎn)。多重應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，全球ALD設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以可觀增速持續(xù)擴(kuò)張。

2、深度國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)入攻堅(jiān)期，本土廠商從“并跑”邁向“領(lǐng)跑”

外部供應(yīng)鏈不確定性強(qiáng)化了裝備自主可控的緊迫性，國(guó)產(chǎn)替代已成為行業(yè)核心主線。目前，以微導(dǎo)納米、拓荊科技、北方華創(chuàng)為代表的頭部企業(yè)，已在28nm及以上邏輯芯片和先進(jìn)存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用與重復(fù)訂單。未來(lái)的挑戰(zhàn)與機(jī)遇在于向更先進(jìn)制程的“深水區(qū)”突破，例如攻克2納米及以下節(jié)點(diǎn)所需的新材料驗(yàn)證與工藝整合。在此過(guò)程中，領(lǐng)先企業(yè)正通過(guò)構(gòu)建“ALD+CVD”產(chǎn)品平臺(tái)、提供先進(jìn)封裝等整體解決方案來(lái)增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，并從滿足“可用性”轉(zhuǎn)向與客戶共同進(jìn)行前沿工藝研發(fā)的創(chuàng)新“領(lǐng)跑”。

3、應(yīng)用場(chǎng)景拓展，向“超越摩爾”和原子制造領(lǐng)域革命性領(lǐng)域前進(jìn)

未來(lái)的增長(zhǎng)不只依賴于硅基半導(dǎo)體，更來(lái)自于顛覆性的新興應(yīng)用。一個(gè)革命性方向是粉體原子層沉積技術(shù)。它可將ALD的原子級(jí)包覆能力從平面基片擴(kuò)展至三維粉末顆粒，為鋰電池材料、催化劑、醫(yī)藥等產(chǎn)業(yè)帶來(lái)變革。中國(guó)已將“粉體原子級(jí)包覆技術(shù)與裝備”列為國(guó)家攻關(guān)任務(wù)，推動(dòng)其產(chǎn)業(yè)化。另一重要方向是服務(wù)于硅光子、異質(zhì)集成、MEMS傳感器等“超越摩爾”領(lǐng)域的專用ALD設(shè)備。這些新興賽道為ALD技術(shù)開(kāi)辟了遠(yuǎn)超傳統(tǒng)半導(dǎo)體尺寸微縮的、更加廣闊的增量市場(chǎng)。

以上數(shù)據(jù)及信息可參考智研咨詢（jwnclean.com）發(fā)布的《中國(guó)ALD設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)全景調(diào)研及投資前景研判報(bào)告》。智研咨詢是中國(guó)領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)，提供深度產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、商業(yè)計(jì)劃書、可行性研究報(bào)告及定制服務(wù)等一站式產(chǎn)業(yè)咨詢服務(wù)。您可以關(guān)注【智研咨詢】公眾號(hào)，每天及時(shí)掌握更多行業(yè)動(dòng)態(tài)。