報告要點

碳化硅（SiC）成為驅動技術升級與效率革命的關鍵支撐。作為第三代寬禁帶半導體核心材料，憑借禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率優、電子飽和漂移速度快等突出性能，正全面滲透新能源、AI、通信、AR 四大高增長產業，其應用場景從功率器件延伸至散熱材料、光學基底等領域，需求呈爆發式增長，行業即將進入高速發展期。

在新能源領域，SiC 是實現高效節能的核心器件，我們預計2030 年，全球“新能源車+充電樁+光儲”對碳化硅襯底（6 吋當量，若非特殊說明，下同）的需求量約577 萬片，CAGR~36.7%。新能源汽車領域，800V 高壓平臺逐步普及，2025 年滲透率已達11.17%，SiC MOSFET 應用于主驅逆變器、DCDC轉換器等核心部件，可使整車能耗降低8%-10%。我們測算得，2030 年全球新能源車領域SiC 襯底需求達432 萬片，中國328 萬片。高壓直流充電樁方面，政策推動下2027 年將建成10 萬臺大功率充電樁，SiC 憑借耐高壓特性成為達標關鍵，2030 年全球SiC 襯底需求51 萬片，中國29 萬片。光儲領域，SiC 將提升光伏逆變器與儲能變流器效率，2030 年全球碳化硅襯底需求94 萬片，中國30 萬片。

AI 產業中，SiC 迎來“功率+散熱”雙重增長機遇。數據中心方面，算力提升推動機柜功率密度飆升，SiC 應用于UPS、HVDC、SST 等電源設備，2030年全球電源領域襯底需求73 萬片，中國20 萬片。同時，SiC 作為先進封裝散熱材料，解決GPU 高發熱難題，2030 年全球AI 芯片中介層所需襯底需求約620 萬片，中國173 萬片；若在現有技術路徑下，CoWoS 工藝中，基板和熱沉材料也采用SiC，則AI 芯片散熱領域襯底空間將增加2 倍。

通信射頻領域，5G-A 與6G 推動射頻器件升級，GaN-on-SiC 方案憑借優異散熱與高頻性能成為主流。2030 年全球射頻用半絕緣型SiC 襯底需求量達17 萬片，中國占比60%，約10 萬片。

2030 年全球AR 眼鏡領域襯底需求389 萬片，中國137 萬片。AR 產業中，SiC 高折射率特性使其成為光波導片理想基底，可擴大視場角、解決彩虹紋問題，推動AR 眼鏡輕量化與全彩化。

需求端的全面爆發推動行業規模快速擴張，預計2027 年碳化硅襯底供需緊平衡，甚至存在出現產能供應緊張的可能性；2030 年，全球1676 萬片的襯底需求量，較2025 年的供給，存在約1200 萬片的產能缺口。其中，AI 中介層、新能源汽車、AR 眼鏡是三大核心增長點，我們預計到2030 年需求占比分別為37%、26%、23%；其中SiC 在AI 芯片先進封裝散熱材料的運用上，若能實現在“基板層”、“中介層”和“熱沉”三個環節的產業化，2030E，全球碳化硅襯底需求量有望達到約3000 萬片。

風險提示： 1、中美貿易摩擦加劇，供應鏈進一步受限的風險；2、下游需求不及預期；3、產品研發、技術迭代與市場推進不及預期，如SiC作為先進封裝的散熱材料，中介層、基板和熱沉三方面均處于研發階段，技術路線尚未完全確定，風險較高；4、行業競爭加劇。

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轉自五礦證券有限公司 研究員：金凱笛