硅外延片
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研判2025!中國硅外延片?行業產業鏈全景、發展現狀、細分市場及未來發展趨勢分析:大尺寸引領技術躍遷,新興應用開辟增長空間[圖]
硅外延片是通過外延生長技術在硅襯底材料表面生長一層具有特定電學、光學和結構特性的單晶半導體薄膜而形成的核心半導體材料。其核心特征在于外延層與硅襯底保持晶格匹配的單晶結構,且可通過工藝調控實現純度、厚度、摻雜濃度等關鍵參數的精確控制,從而滿足不同半導體器件的性能需求。
智研觀點
2025-11-10
2020年中國半導體硅外延片行業市場規模及企業格局分析:行業市場需求將持續擴張[圖]
半導體硅外延片主要由多晶硅原材料經過晶體生長、硅片成型和外延生長等工藝制備得到。由于摻雜工藝靈活,厚度、電阻率等器件參數便于調節,半導體硅外延片具有諸多優質特性,可以顯著改善器件反向耐用性、截止頻率等性能。半導體硅外延片被大規模應用于對穩定性、缺陷密度、高電壓及電流耐受性等要求更高的高級半導體器件中,主要包括MOSFET、晶體管等功率器件,及CIS、PMIC等模擬器件,終端應用包括汽車、高端裝備制造、能源管理、通信、消費電子等。
智研觀點
2020-12-10
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